时间：2025/7/10 7:27:56
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FDC637AN-NB5E023A是一款N沟道增强型MOSFET晶体管，属于Fairchild（现为Onsemi安森美）的FDC系列。该器件主要设计用于高频开关应用，例如开关电源、电机驱动器以及DC-DC转换器等领域。其采用TO-263-3L（DPAK）封装形式，具备低导通电阻和快速开关速度的特点，适合需要高效能与散热性能的应用场景。
该型号在设计时考虑了多种实际应用需求，具有良好的电气特性和热稳定性，同时能够承受较高的电压和电流负载。此外，由于其封装体积较小，非常适合空间受限的设计。
最大漏源电压：40V
最大连续漏极电流：18A
导通电阻（Rds(on)）：3.5mΩ（典型值，在Vgs=10V条件下）
栅极电荷：37nC（典型值）
输入电容：1150pF（典型值）
总功耗：360W
工作温度范围：-55℃至+175℃
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗并提高效率。
2. 快速开关能力，适用于高频应用场合。
3. 高雪崩击穿能量，增强了器件的耐用性和可靠性。
4. 具备较低的栅极电荷，从而减少了驱动损耗。
5. 热稳定性良好，能够在高温环境下长期运行。
6. 符合RoHS标准，绿色环保，满足现代电子产品对环保的要求。
7. 采用DPAK封装，易于焊接且散热性能优越。
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率开关。
2. 各类DC-DC转换器模块中的同步整流元件。
3. 电动工具及家用电器中的电机驱动电路。
4. 工业自动化设备中的电磁阀控制。
5. 电池管理系统（BMS）中的保护电路。
6. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的功率转换部分。
FDC637AN, FDC637AU, FDS637AN, IRF7739TRPBF
