时间：2025/6/29 10:23:42
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NV1206B332K102CEDN是一款由ON Semiconductor生产的高压MOSFET器件，属于P沟道增强型场效应晶体管。该器件采用DPAK封装形式，广泛应用于功率转换、负载开关、电机驱动等需要高效率和低功耗的场景中。
这款MOSFET以其优异的导通电阻特性和高电压耐受能力著称，能够在极端条件下提供稳定的性能表现。
型号：NV1206B332K102CEDN
制造商：ON Semiconductor
封装：DPAK (TO-252)
类型：P沟道 MOSFET
最大漏源电压(Vds)：-60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：-9.8A
导通电阻(Rds(on))：40mΩ（典型值，在Vgs=-10V时）
总功耗(Ptot)：70W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
栅极电荷(Qg)：27nC（典型值）
NV1206B332K102CEDN具有以下显著特性：
1. 高效的导通性能：得益于其较低的导通电阻(40mΩ)，该器件能够显著减少传导损耗，提高整体系统效率。
2. 强大的耐用性：额定电压高达-60V，支持在高电压环境下稳定运行。
3. 优秀的热性能：采用DPAK封装，有助于高效散热，适应高温工作条件。
4. 宽广的工作温度范围：从-55°C到175°C，适合工业级及汽车级应用环境。
5. 快速开关速度：较小的栅极电荷使得开关速度更快，进一步降低开关损耗。
6. 可靠性高：经过严格的测试与验证，确保在各种复杂工况下具备高可靠性。
NV1206B332K102CEDN适用于多种电力电子应用领域：
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
2. 电机驱动电路中的功率开关。
3. 负载开关和保护电路中的功率控制元件。
4. 汽车电子系统中的电源管理模块。
5. 工业自动化设备中的功率调节装置。
6. 其他需要高性能功率开关的应用场景。
IRF9540N
FQP27P06
AUIRF9540
