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FF450R12KT4 发布时间 时间:2025/5/7 12:09:51 查看 阅读:11

FF450R12KT4是英飞凌(Infineon)公司生产的一款1200V碳化硅(SiC)MOSFET模块,采用半桥拓扑结构。该器件主要应用于高效率、高频开关场景,如工业驱动、太阳能逆变器、不间断电源(UPS)、电动汽车充电设备等。其出色的开关特性和低导通损耗使其成为传统硅基IGBT的理想替代品。
  FF450R12KT4采用了CoolSiC技术,具备较低的开关损耗和导通电阻,同时支持高达175°C的工作结温,能够满足现代电力电子系统对效率和可靠性的严格要求。

参数

额定电压:1200V
  额定电流:450A
  导通电阻:3.6mΩ(典型值)
  最大工作结温:175°C
  封装形式:Easy 2B
  开关频率:高达100kHz
  栅极电荷:85nC(典型值)
  输入电容:2900pF(典型值)
  反向恢复时间:50ns(典型值)

特性

FF450R12KT4具有以下关键特性:
  1. 使用碳化硅(SiC)材料,提供更高的功率密度和效率。
  2. 支持高频开关操作,适合要求苛刻的应用场景。
  3. 低导通电阻和栅极电荷,减少传导和开关损耗。
  4. 高温性能优异,能在最高175°C的结温下稳定运行。
  5. 内置反并联二极管,支持高效的续流功能。
  6. 易于并联使用,适应大功率应用需求。
  7. 符合RoHS标准,环保且可靠性高。

应用

FF450R12KT4适用于以下领域:
  1. 工业电机驱动系统,提升效率和动态响应能力。
  2. 光伏逆变器,优化能量转换效率。
  3. 不间断电源(UPS),实现更高功率密度。
  4. 电动汽车充电基础设施,包括直流快充桩。
  5. 风能变流器,用于风电系统的高效能量管理。
  6. 高频DC-DC转换器,适用于各种电力电子变换场景。

替代型号

FF300R12KT4
  FF600R12KT4

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FF450R12KT4参数

  • 制造商Infineon
  • 产品IGBT Silicon Modules
  • 配置Dual
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO1200 V
  • 在25 C的连续集电极电流580 A
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 封装 / 箱体62MM
  • 栅极/发射极最大电压+/- 20 V
  • 最小工作温度- 40 C
  • 安装风格Screw