FF450R12KT4是英飞凌(Infineon)公司生产的一款1200V碳化硅(SiC)MOSFET模块,采用半桥拓扑结构。该器件主要应用于高效率、高频开关场景,如工业驱动、太阳能逆变器、不间断电源(UPS)、电动汽车充电设备等。其出色的开关特性和低导通损耗使其成为传统硅基IGBT的理想替代品。
FF450R12KT4采用了CoolSiC技术,具备较低的开关损耗和导通电阻,同时支持高达175°C的工作结温,能够满足现代电力电子系统对效率和可靠性的严格要求。
额定电压:1200V
额定电流:450A
导通电阻:3.6mΩ(典型值)
最大工作结温:175°C
封装形式:Easy 2B
开关频率:高达100kHz
栅极电荷:85nC(典型值)
输入电容:2900pF(典型值)
反向恢复时间:50ns(典型值)
FF450R12KT4具有以下关键特性:
1. 使用碳化硅(SiC)材料,提供更高的功率密度和效率。
2. 支持高频开关操作,适合要求苛刻的应用场景。
3. 低导通电阻和栅极电荷,减少传导和开关损耗。
4. 高温性能优异,能在最高175°C的结温下稳定运行。
5. 内置反并联二极管,支持高效的续流功能。
6. 易于并联使用,适应大功率应用需求。
7. 符合RoHS标准,环保且可靠性高。
FF450R12KT4适用于以下领域:
1. 工业电机驱动系统,提升效率和动态响应能力。
2. 光伏逆变器,优化能量转换效率。
3. 不间断电源(UPS),实现更高功率密度。
4. 电动汽车充电基础设施,包括直流快充桩。
5. 风能变流器,用于风电系统的高效能量管理。
6. 高频DC-DC转换器,适用于各种电力电子变换场景。
FF300R12KT4
FF600R12KT4