最大平均整流电流（Io）：1.0A
　　最大反向峰值电压（VRRM）：50V
　　正向压降（VF）：1.1V @ 1.0A
　　最大反向漏电流（IR）：5uA @ 50V
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：DO-41
　　引脚数：2

1N3070.TR 是一款标准的硅整流二极管，具备良好的热稳定性和电气性能。其最大平均整流电流为1.0A，能够承受较高的瞬态电流冲击，适用于多种电源整流应用。该器件的反向峰值电压为50V，确保在中低电压应用中具有良好的可靠性。
　　其正向压降为1.1V，在1.0A电流下表现稳定，有助于减少功率损耗。在50V反向电压下，最大漏电流仅为5uA，显示出良好的阻断能力。1N3070.TR 的工作温度范围为-55°C至+175°C，适合在恶劣环境下使用。
　　该器件采用DO-41封装，体积小、便于安装，广泛用于开关电源、充电器、逆变器和适配器等设备中。其封装材料符合RoHS环保标准，适用于现代电子产品制造。
　　此外，1N3070.TR 具有良好的焊接性能和机械稳定性，能够在自动化生产线上稳定使用。其设计和制造符合JEDEC标准，确保了与其他同类产品的兼容性。

1N3070.TR 主要用于中低功率的整流电路，如开关电源、AC/DC转换器、电池充电器和适配器等。此外，它也可用于极性保护电路、续流二极管、电压钳位电路以及各种控制和信号处理电路。
　　在开关电源设计中，1N3070.TR 可用于次级侧整流，提供稳定的直流输出。在充电器和适配器中，该二极管可有效防止电流倒灌，保护主控电路。由于其良好的反向阻断能力，1N3070.TR 还可用于电压检测和隔离电路中。
　　在工业控制和自动化设备中，该二极管可用于继电器、电磁阀等感性负载的续流保护。同时，1N3070.TR 也可用于LED照明、消费类电子产品和汽车电子系统的电源管理部分。

1N4001, 1N5400, 1N5819, 1N4937