时间：2025/5/20 10:54:38
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IRLML6346是英飞凌（Infineon）生产的一款N沟道增强型MOSFET。该器件采用超薄小外形晶体管封装（SOT-23），具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种便携式设备中的负载开关、DC-DC转换器以及电池供电设备的功率管理应用。
由于其极低的导通电阻和较小的封装尺寸，IRLML6346非常适合对空间要求严格的电路设计。它在低压驱动条件下仍然能保持较低的导通损耗，因此广泛用于消费类电子产品的电源管理场景。
最大漏源电压：20V
最大栅源电压：±8V
连续漏极电流：1.9A
导通电阻（Rds(on)）@Vgs=4.5V：55mΩ
导通电阻（Rds(on)）@Vgs=10V：42mΩ
总栅极电荷：3nC
输入电容：175pF
封装形式：SOT-23
1. 极低的导通电阻，可减少传导损耗，提高效率。
2. 高开关速度，适合高频开关应用。
3. 小型化封装，适合空间受限的设计。
4. 支持低至1.8V的逻辑电平驱动，便于与现代数字IC兼容。
5. 内置反向隔离二极管，防止反向电流流动。
6. 高雪崩击穿能力，提供更好的系统可靠性。
1. 便携式电子设备中的负载开关。
2. 消费类电子产品中的电源管理模块。
3. DC-DC转换器中的同步整流元件。
4. 电池保护电路及低功耗设备中的开关控制。
5. 各种小型化、高效化的功率管理解决方案。
AO3400A, FDMQ8205, IRLML6402
