时间：2025/6/3 11:06:38
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NV1206B152K202CEGN 是一款高性能的 MOSFET 场效应晶体管，主要应用于开关和功率转换领域。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度以及出色的热性能，适合在高频和高效率的应用场景中使用。
这款 MOSFET 通常被用作电源管理中的核心元件，广泛适用于 DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关等电路设计。其封装形式为行业标准的 TO-252(DPAK)，具备良好的电气连接和散热性能。
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：139A
导通电阻(Rds(on))：1.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
总功耗(Ptot)：17W
工作温度范围(Ta)：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-252 (DPAK)
输入电容(Ciss)：4580pF
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，确保在大电流应用中有更低的功耗和更高的效率。
2. 高速开关能力，支持高频操作，非常适合开关电源和 DC-DC 转换器等应用场景。
3. 较高的漏源击穿电压（60V），提供足够的安全裕度以应对瞬态电压尖峰。
4. 优化的热阻设计，提升了散热性能，允许更大的功率输出。
5. 具备出色的雪崩能力和 ESD 保护功能，增强了器件的可靠性和耐用性。
6. 小型化封装与高效能结合，使它成为紧凑型设计的理想选择。
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流和功率级控制。
2. DC-DC 转换器中的主开关或同步整流器。
3. 汽车电子中的负载开关和电机驱动。
4. 工业设备中的功率转换和逆变电路。
5. 电池管理系统(BMS)中的保护和切换电路。
6. LED 驱动器和其他需要高效功率开关的应用场景。
NV1206B152K202CEG, IRF1405ZPBF, AON7612
