类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：10A
　　最大漏-源电压（VDS）：600V
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值0.48Ω（@VGS=10V）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2.1V至4.0V
　　最大功耗（PD）：50W
　　封装形式：DPAK（表面贴装）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

NUS6160MNTWG具有多项高性能特性，包括低导通电阻（Rds(on)），可减少导通损耗，提高能效；其600V的漏-源击穿电压（VDS）使其适用于高电压应用场景，如PFC（功率因数校正）电路和工业电源系统。
　　此外，该器件采用了Super Junction（超级结）结构，优化了电场分布，从而在高电压下仍能保持较低的导通压降和出色的开关性能。其DPAK封装形式支持表面贴装工艺，提高了装配效率并降低了系统成本。
　　该MOSFET具备良好的热稳定性和较高的可靠性，能够在恶劣的工作环境下长时间运行。同时，其快速开关特性减少了开关损耗，适用于高频开关应用，如AC-DC电源、电机驱动和LED照明系统等。
　　此外，NUS6160MNTWG还具备良好的短路耐受能力和过温保护性能，有助于提升系统的安全性和稳定性。

NUS6160MNTWG主要应用于各种高电压、高效率的功率转换系统，包括PFC电路、AC-DC适配器、DC-DC转换器、电池充电器、工业自动化设备、电机控制模块以及LED照明驱动电路等。
　　其600V耐压能力和低导通电阻特性使其非常适合用于需要高效率和高可靠性的电源设计中，例如服务器电源、电信设备电源以及光伏逆变器等应用领域。
　　在消费类电子产品中，该器件也可用于高功率密度电源适配器和智能家电的电源管理模块。此外，由于其DPAK封装便于散热和安装，因此在需要高可靠性和紧凑设计的汽车电子系统中也有广泛的应用潜力，例如车载充电器和DC-DC转换器等。
　　该器件的快速开关特性也使其适用于高频电源变换系统，如ZVS（零电压开关）和ZCS（零电流开关）拓扑结构，有助于进一步提升系统效率和减小电源体积。

STF6N60DM2, FQA10N60C, IPA60R650E, SiHP06N60EH