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NUS2401SNT1G 发布时间 时间:2023/4/12 11:21:27 查看 阅读:560

数字晶体管

目录

概述

制造商:ON Semiconductor

产品种类:数字晶体管

配置:Triple

晶体管极性:PNP

典型输入电阻器:0.175 KOhm @ NPN or 10 KOhm @ PNP

典型电阻器比率:1 @ PNP

封装 / 箱体:SC-74-6

直流电流增益 hFE 最小值:150 @ NPN

集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V

集电极连续电流:0.2 A

峰值直流集电极电流:200 mA

功率耗散:350 mW

最大工作温度:+ 150℃

封装:Reel

最小工作温度:- 55℃

安装风格:SMD/SMT

资料

厂商
ON Semiconductor

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NUS2401SNT1G参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型2 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)200mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)175,10k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)175,10k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)-
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)250mV @ 1mA,10mA / 250mV @ 300µA,10mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)500nA
  • 频率 - 转换-
  • 功率 - 最大350mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-74,SOT-457
  • 供应商设备封装SC-74
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称NUS2401SNT1GOSNUS2401SNT1GOS-NDNUS2401SNT1GOSTR