NUP45V6P5T5G 时间：2025/7/11 15:21:38 阅读：12

NUP45V6P5T5G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的高压 P 沱 MOSFET。该器件采用 Trench 技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点。其设计适用于需要高效功率转换的场合，例如开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等应用。
　　该器件的最大耐压为 450V，能够在高频条件下保持稳定的性能表现。同时，其优化的封装形式（TO-220FP）能够提供良好的散热能力，适合工业级和消费级电子产品的功率管理需求。

参数

最大漏源电压：450V
　　连续漏极电流：6.5A
　　导通电阻（典型值）：1.3Ω
　　栅极电荷：35nC
　　输入电容：1280pF
　　工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
　　封装形式：TO-220FP

特性

NUP45V6P5T5G 的主要特性包括：
　　1. 高耐压能力，支持高达 450V 的漏源电压，适用于多种高压应用场景。
　　2. 极低的导通电阻（Rds(on)），确保在大电流下拥有较低的功耗。
　　3. 快速开关特性，栅极电荷小，可显著降低开关损耗。
　　4. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
　　5. 工作温度范围广，能够在极端环境下稳定运行。
　　6. TO-220FP 封装具备优秀的热传导性能，便于散热设计。

应用

NUP45V6P5T5G 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）中作为主开关管使用。
　　2. DC-DC 转换器中的功率开关元件。
　　3. 电机驱动电路，用于控制直流或无刷电机的启停及转速。
　　4. 各类负载开关和保护电路。
　　5. 高压逆变器和其他电力电子设备。
　　由于其高耐压和低损耗特性，该器件特别适合于需要高效能和可靠性的工业和汽车应用环境。