时间：2025/5/23 11:29:04
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FN21N220J500PAG 是一款 N 沣道通系列的高压 MOSFET 芯片，适用于高频开关电源、逆变器以及其他需要高电压和快速开关的应用场景。该芯片采用先进的制造工艺，在保证高效性能的同时也具备良好的可靠性。
该型号为 N 沟道增强型 MOSFET，主要应用于工业级和消费级电子设备中，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热稳定性等特性。
最大漏源电压：1200V
最大连续漏极电流：21A
栅源电压（最大）：±20V
导通电阻（典型值）：80mΩ
开关时间（开通/关断）：40ns/60ns
结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247
FN21N220J500PAG 具有以下显著特点：
1. 高耐压能力：支持高达 1200V 的漏源电压，适用于高压环境下的功率转换应用。
2. 低导通电阻：在高电流条件下能够减少功耗，提升系统效率。
3. 快速开关性能：短开/关时间使其适合高频操作，降低开关损耗。
4. 热稳定性强：能够在较宽的温度范围内可靠运行，适应恶劣的工作条件。
5. 封装坚固耐用：采用 TO-247 封装形式，提供良好的散热性能和机械强度。
该型号广泛用于各种电力电子领域：
1. 开关电源 (SMPS)：包括适配器、充电器以及工业电源等。
2. 逆变器：光伏逆变器、UPS 不间断电源系统。
3. 电机驱动：用于控制各类直流无刷电机或步进电机。
4. 电动车及混合动力汽车中的功率模块。
5. PFC（功率因数校正）电路和其他高效能转换电路设计。
IRFP460, FGH22N120ND
