时间：2025/9/6 13:20:41
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2SK1763S是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于需要高效率、高频率和快速开关特性的电路设计中。这款器件采用小型表面贴装封装，适合在空间受限的电子产品中使用。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：1.5A
功耗(Pd)：1.25W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：SOT-23
2SK1763S具有低导通电阻、快速开关速度和高可靠性等特点。其低导通电阻确保了在导通状态下的功耗较小，提高了系统的整体效率。此外，由于其快速的开关特性，该器件特别适用于需要高频操作的开关电源、DC-DC转换器和电机控制电路。
该器件还具有良好的热稳定性，能够在较高的工作温度下保持稳定性能，这使其适用于工业级应用环境。此外，其紧凑的SOT-23封装形式不仅节省空间，还便于自动化生产装配，提升了生产效率。
2SK1763S的栅极驱动要求较低，能够与标准逻辑电平兼容，简化了驱动电路设计。这使得它在低电压控制电路中应用广泛，如微控制器输出级和低功耗开关应用。
2SK1763S广泛应用于电源管理、负载开关、LED驱动、电机控制、音频放大器以及工业自动化设备中的开关电路。此外，它也常见于便携式电子设备、电池供电系统和小型DC-DC转换器中。
2SK2313, 2SK3018, FDS6680
