时间：2025/7/11 10:38:22
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NUP4201MR6T1G-N 是一款高性能的 MOSFET 场效应晶体管，主要用于功率转换和电源管理领域。该器件采用先进的制程技术制造，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适用于需要高效能和小尺寸的应用场景。
这款 MOSFET 属于逻辑电平驱动类型，支持较低的栅极驱动电压，能够有效降低功耗并提高系统效率。其封装形式为 SOT-23 封装，体积小巧，非常适合空间受限的设计。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±8V
持续漏极电流：2.9A
导通电阻（典型值）：65mΩ
总电荷量（Qg）：7nC
栅极电荷：3.4nC
开关时间：ton=9ns, toff=7ns
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低传导损耗，提升整体效率。
2. 高速开关能力，适合高频应用场合。
3. 逻辑电平驱动兼容性，可直接与 3.3V 或 5V 的控制信号配合使用。
4. 小型化 SOT-23 封装，节省 PCB 空间。
5. 强大的热稳定性，确保在极端温度环境下仍能保持稳定性能。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. DC-DC 转换器的核心功率开关元件。
3. 电池保护电路及负载切换。
4. 消费类电子产品中的电机驱动和电源管理。
5. 工业自动化设备中的信号隔离和功率控制。
6. 便携式设备中的高效功率传输解决方案。
NUP4201MR6T1G, NUP4201MR6L1G, BSS138, SI2302DS
