时间：2025/7/11 17:45:40
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GQM1555C2DR50CB01D 是一种基于氮化镓 (GaN) 技术的高效率功率晶体管，适用于高频开关电源、DC-DC转换器以及射频功率放大等应用领域。该器件采用增强型场效应晶体管 (e-mode FET) 结构，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，能够显著提升系统的整体效率。
该型号属于 GaN Systems 的产品系列，其设计旨在满足高性能电力电子系统对效率、密度和可靠性的严格要求。通过将 GaN 材料的独特优势与先进的封装技术C2DR50CB01D 提供了出色的性能表现。
额定电压：650V
额定电流：50A
导通电阻：1.8mΩ
栅极电荷：30nC
反向恢复电荷：无
最大工作结温：175°C
封装类型：QFN 8x8mm
输入电容：1200pF
GQM1555C2DR50CB01D 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有效减少传导损耗，提高系统效率。
2. 快速开关性能，支持高频操作，从而减小磁性元件体积，优化系统尺寸。
3. 零反向恢复电荷 (Qrr)，降低开关损耗并改善电磁兼容性 (EMI) 表现。
4. 增强型结构确保在正常工作条件下具备更高的安全性和可靠性。
5. 小型化的 QFN 封装，便于表面贴装工艺，并提供良好的散热性能。
6. 支持高达 175°C 的工作结温，适合高温环境下的应用需求。
GQM1555C2DR50CB01D 广泛应用于以下领域：
1. 数据中心和服务器的高效电源管理。
2. 电动车 (EV) 和混合动力车 (HEV) 的车载充电器 (OBC) 及 DC-DC 转换器。
3. 工业级 SMPS（开关模式电源）及 UPS. 消费类快充适配器的设计，支持 USB-PD 协议。
5. 射频功率放大器，在无线通信基础设施中的应用。
6. 光伏逆变器和其他可再生能源相关的电力转换设备。
GQH1555C2DR50CB01D
