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NTZS3151PT1G 发布时间 时间：2023/4/13 11:23:16 查看 阅读：644

-20 V, -950 mA 双功率MOSFET带ESD保护

目录

概述

源漏极间雪崩电压VBR(V)：20

源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：150

最大漏极电流Id(on)(A)：0.950

通道极性：P沟道

封装/温度(℃)：SOT-563/-55 ~150

资料

厂商
ON Semiconductor

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NTZS3151PT1G产品

NTZS3151PT1G参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C860mA
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C150 毫欧 @ 950mA，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs5.6nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds458pF @ 16V
  • 功率 - 最大170mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOT-563，SOT-666
  • 供应商设备封装SOT-563
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称NTZS3151PT1GOSTR

IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 

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