描述:20 V, 570 mA功率MOSFET带ESD保护
源漏极间雪崩电压VBR(V):20
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):550
最大漏极电流Id(on)(A):0.570
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):6SOT-563/-55~150