时间：2025/9/5 15:18:28
阅读：15
LTL1CHKSKE 是一款由ROHM（罗姆）公司生产的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高频率开关应用。该MOSFET采用紧凑型封装，具备优异的热性能和电气性能，适合用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电池供电设备等应用场景。LTL1CHKSKE的设计旨在提高效率并减少空间占用，适用于便携式电子产品和高密度电路设计。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：20V
漏极电流（Id）：100mA（最大）
导通电阻（Rds(on)）：1.2Ω @ Vgs=10V
阈值电压（Vgs(th)）：1.0V ~ 2.5V
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：SOT-723
安装类型：表面贴装
LTL1CHKSKE MOSFET具有低导通电阻，能够在低电压条件下实现高效的电能传输。其SOT-723封装形式非常小巧，适合高密度PCB布局。此外，该器件具有良好的热稳定性和快速开关特性，使其适用于高频开关电源和负载控制应用。该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持1.8V至5V逻辑电平控制，适用于多种数字控制电路。此外，其低漏电流和低功耗特性也使其在电池供电设备中表现出色。
LTL1CHKSKE广泛应用于便携式电子设备、智能手机、可穿戴设备、DC-DC转换器、负载开关、电源管理模块以及低功耗控制系统。其小巧的封装和高效的电气性能使其成为对空间和能效要求较高的应用场景的理想选择。
RNM1CHKSKE-TL, 2N7002K, 2N7002EK, PMV27UNEAR
