NTZD3152PT1G技术参数
源漏极间雪崩电压VBR(V):20
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):900
最大漏极电流Id(on)(A):0.430
通道极性:P沟道
封装/温度(℃):SOT-563/-55 ~150
描述:-20 V, -430 mA 双功率MOSFET