时间：2025/8/2 7:29:48
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NTTFS5826NLTWG 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于电源管理和功率转换领域。该器件采用先进的 Trench 技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高效率的特性，适用于同步整流、DC-DC 转换器、负载开关以及电池管理系统等应用。
类型：N 沟道 MOSFET
漏极电流（Id）：40A
漏源电压（Vds）：60V
栅源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：最大 11.5mΩ @ Vgs=10V
功率耗散（Pd）：100W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：PowerPAK? SO-8 双散热焊盘
NTTFS5826NLTWG 具有多个优异的电气和热性能特性。首先，其低导通电阻（Rds(on)）能够显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用先进的 Trench 技术，优化了导通和开关性能之间的平衡，从而在高频应用中表现出色。
其次，NTTFS5826NLTWG 的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少驱动损耗，提高开关速度，这在高频率 DC-DC 转换器中尤为重要。此外，该器件的热阻较低，得益于其 PowerPAK? SO-8 封装的双散热焊盘设计，使得热量可以更有效地从芯片散发到 PCB 或散热片，从而提高长期运行的可靠性。
该 MOSFET 还具备较高的雪崩能量耐受能力，能够在突发短路或过载情况下提供更好的保护性能。栅极驱动电压范围较宽（±20V），支持多种驱动电路设计，增强了设计灵活性。同时，其在高温环境下仍能保持稳定的导通性能，适用于各种严苛的工作条件。
另外，该器件符合 RoHS 标准，无铅环保，适用于现代电子设备的绿色制造要求。
NTTFS5826NLTWG 主要用于高效率电源系统中，例如笔记本电脑、服务器和通信设备中的同步整流器和 DC-DC 降压/升压转换器。它也广泛应用于电池管理系统（BMS）、负载开关、电机驱动电路以及电源管理模块等场景。
在服务器电源和电信电源系统中，该 MOSFET 可用于多相电源设计，提供高电流输出能力的同时保持较低的导通损耗。此外，由于其高效率和低发热特性，特别适合紧凑型设计和高密度电源应用。
在电池供电系统中，NTTFS5826NLTWG 可作为主功率开关使用，用于控制电池充放电路径或负载隔离。其低 Rds(on) 特性有助于延长电池续航时间。
在工业自动化设备和嵌入式系统中，该器件可用于高边或低边开关控制，实现对负载的高效管理。
SiR142DP-T1-GE3, FDS6680, NVTFS5C471NLWFTAG
