DFQD10N20 时间：2025/8/25 5:06:51 阅读：5

DFQD10N20 是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要设计用于高效率、高功率密度的电源转换应用。该器件具有低导通电阻、高耐压、高电流容量和良好的热稳定性，适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器和负载开关等应用场景。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：200V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：10A（在Tc=25℃时）
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值0.45Ω，最大值0.6Ω（在Vgs=10V时）
　　功率耗散（Pd）：125W
　　工作温度范围：-55℃～+150℃
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

DFQD10N20 具备多项优良特性，使其在中高功率电源应用中表现出色。首先，其漏源耐压（Vds）高达200V，能够在高压环境下稳定工作。其次，该器件的导通电阻（Rds(on)）非常低，典型值仅为0.45Ω，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，DFQD10N20 的连续漏极电流能力为10A，在适当的散热条件下可以支持较高的负载能力。该器件还具有良好的热稳定性和过热保护能力，能够在高温环境下维持正常工作。其采用TO-252（DPAK）封装，具有良好的散热性能，适合表面贴装工艺，便于自动化生产和维修。栅极驱动电压范围宽（±30V），增强了其在不同驱动电路中的兼容性。
　　在动态特性方面，DFQD10N20 的开关速度快，输入电容（Ciss）约为1100pF，输出电容（Coss）约为280pF，反向传输电容（Crss）约为80pF，这使得它适用于高频开关电路。同时，该MOSFET具备良好的抗雪崩能力，提高了在极端工况下的可靠性。整体来看，DFQD10N20 是一款性能稳定、适用范围广的功率MOSFET，广泛用于电源、工业控制和电机驱动等领域。

应用

DFQD10N20 主要应用于需要高效率、高可靠性和紧凑设计的电力电子系统。常见应用包括开关电源（SMPS）、AC-DC电源适配器、DC-DC转换器、电池充电器、电机控制电路、负载开关、LED驱动器以及工业自动化设备中的功率开关部分。其优异的导通特性和良好的散热封装形式，使其非常适合在高频率、高效率要求的开关电路中使用。此外，DFQD10N20 还可用于电源管理系统、UPS不间断电源、光伏逆变器等新能源领域，提供稳定可靠的功率控制解决方案。