时间：2025/8/2 8:43:02
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NTTFS4C13NTAG 是由ON Semiconductor（安森美半导体）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的Trench沟槽技术，具备较低的导通电阻（Rds(on)）和高效率的功率处理能力。该器件广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电机控制和电池供电设备等领域。该MOSFET采用5引脚DFN封装，具有良好的热性能和空间利用率，适用于紧凑型设计。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：20V（最大）
连续漏极电流（Id）：6.3A（在25°C）
导通电阻（Rds(on)）：24mΩ（典型值，Vgs=10V）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：5引脚DFN（5.0mm x 6.0mm）
功率耗散（Pd）：3.1W（在25°C）
栅极电荷（Qg）：16nC（典型值）
输入电容（Ciss）：890pF（典型值）
NTTFS4C13NTAG 采用先进的Trench沟槽技术，使其在导通电阻和开关性能之间实现了良好的平衡。其低Rds(on)特性可显著降低导通损耗，提高整体系统效率。此外，该器件的封装设计具有良好的热管理能力，能够有效散热，适用于高功率密度的应用。该MOSFET具备较高的电流处理能力，适用于中等功率应用。其5引脚DFN封装不仅节省空间，还提供了更好的散热性能，适合用于紧凑型PCB设计。NTTFS4C13NTAG还具有较强的耐用性和稳定性，能够在较宽的温度范围内稳定工作。该器件符合RoHS环保标准，适用于现代电子设备的绿色制造要求。
NTTFS4C13NTAG 广泛应用于各类电源管理系统，包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和电机驱动电路。其低导通电阻和高电流能力使其适用于笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携式电子设备中的电源管理模块。此外，该MOSFET还可用于工业控制设备、电池管理系统（BMS）、LED照明驱动电路以及各类功率开关应用。由于其良好的热性能和紧凑的封装设计，也常用于空间受限的高密度电路板设计。
NTTFS4C13N, NTD4858N, Si4446DY, FDS4410A, NVTFS4C13N
