时间：2025/6/26 15:37:03
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GA1210Y824JBXAR31G 是一款高性能的 MOSFET 场效应晶体管，主要用于功率转换和开关应用。该器件采用了先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适用于多种工业和消费类电子设备。
这种 MOSFET 器件在电路中起到开关或放大作用，能够高效地控制电流流动，同时减少能量损耗。其封装形式为 TO-263（D2PAK），具备良好的散热特性和易于安装的特点。
类型：N沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压(Vds)：120V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大漏极电流(Id)：10A
导通电阻(Rds(on))：50mΩ（典型值，Vgs=10V）
功耗(Pd)：12W
工作温度范围(Tj)：-55℃ 至 +150℃
封装：TO-263(D2PAK)
1. 高效低导通电阻，可降低功率损耗，提高系统效率。
2. 快速开关能力，支持高频操作，适合于开关电源和 DC/DC 转换器。
3. 出色的热稳定性和耐用性，能够在极端温度条件下正常运行。
4. 内置静电防护(ESD)功能，增强器件的可靠性。
5. 符合 RoHS 标准，环保且无铅设计。
6. 大电流承载能力，确保在高负载条件下的稳定性。
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
2. DC/DC 转换器和逆变器的核心元件。
3. 电机驱动电路中的开关器件。
4. 工业自动化设备中的功率管理模块。
5. 消费类电子产品如笔记本电脑适配器和LED照明系统的功率级组件。
6. 电池管理系统(BMS)中的保护和切换功能。
IRFZ44N
STP10NK60Z
FQP17N12
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