时间：2025/8/2 5:37:23
阅读：87
NTTFS015N04CTAG 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率、高功率密度的应用设计，具有低导通电阻、高耐压能力和优异的热性能，适用于广泛的功率转换和电源管理场景。该 MOSFET 采用先进的 Trench 技术制造，确保了在高频开关操作下的性能稳定性。
类型：N 沟道 MOSFET
漏极电流（ID）：150A（最大值）
漏源击穿电压（VDS）：40V
栅源击穿电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：1.5mΩ（典型值）
功率耗散（PD）：250W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：D2PAK（TO-263）
NTTFS015N04CTAG 的主要特性之一是其非常低的导通电阻（RDS(on)），仅为 1.5mΩ。这种低电阻特性显著降低了导通损耗，从而提高了整体系统的效率。此外，该器件的漏源击穿电压为 40V，使其适用于多种中低压功率转换应用，如 DC-DC 转换器、电机驱动器和电池管理系统。
该 MOSFET 采用先进的 Trench 技术，提供了卓越的开关性能，降低了开关损耗，并在高频工作条件下保持稳定。同时，其最大漏极电流可达 150A，适用于高电流负载的应用场景。
NTTFS015N04CTAG 还具有出色的热稳定性，能够在高达 +175°C 的结温下工作，适应严苛的工业和汽车环境。其 D2PAK（TO-263）封装形式不仅提供了良好的散热能力，还便于在 PCB 上安装和焊接，适用于表面贴装工艺。
该器件的栅极驱动电压范围为 ±20V，具有良好的栅极氧化层保护能力，减少了因过电压而导致的损坏风险。同时，该 MOSFET 在高温环境下仍能保持稳定的电气性能，适合用于需要长时间连续运行的系统中。
NTTFS015N04CTAG 广泛应用于各种高功率密度和高效率要求的系统中。其典型应用包括 DC-DC 转换器、同步整流器、电机控制器、电池管理系统（BMS）以及汽车电子系统中的功率开关。在汽车应用中，该 MOSFET 可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和车载逆变器等场景。
由于其低导通电阻和高电流承载能力，NTTFS015N04CTAG 特别适合用于需要高效能和低功耗的设计中。例如，在服务器电源和工业电源系统中，它可以显著提高能效，减少热量产生，延长设备寿命。
此外，该 MOSFET 还可用于太阳能逆变器、UPS（不间断电源）系统和储能系统等新能源应用中，作为核心的功率开关元件，确保系统的稳定运行和高效能量转换。
SiR178DP-T1-GE3, Nexperia PSMN2R0-40YL, Infineon BSC010N04LS
