时间：2025/8/2 5:57:04
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NTTFS008N04CTAG 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效功率转换和开关应用而设计。该器件采用了先进的沟槽技术，具有较低的导通电阻和优异的开关性能，适用于各种高效率电源转换系统，如DC-DC转换器、负载开关、电机驱动器等。NTTFS008N04CTAG 采用 5x6 mm 的紧凑型表面贴装封装（TDFN），具备良好的热管理和空间利用率。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：40V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：12A
导通电阻（RDS(on)）：8mΩ @ VGS=10V
导通电阻（RDS(on)）：12mΩ @ VGS=4.5V
栅极电荷（Qg）：14nC
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：TDFN-8（5x6 mm）
NTTFS008N04CTAG 的主要特性之一是其极低的导通电阻，这使得该器件在大电流条件下能够显著降低导通损耗，提高系统效率。在 VGS=10V 时，RDS(on) 仅为 8mΩ，而在较低的 VGS=4.5V 驱动条件下，RDS(on) 也保持在 12mΩ，表明其在不同驱动电压下仍能保持良好的导通性能。
此外，该 MOSFET 采用了先进的沟槽式功率 MOSFET 工艺技术，有效降低了器件的导通电阻并优化了开关速度。其栅极电荷（Qg）为 14nC，保证了较快的开关动作，从而减少了开关损耗，适用于高频开关应用。
该器件的封装形式为 TDFN-8，尺寸为 5x6 mm，属于小型表面贴装封装，适用于高密度 PCB 设计。同时，TDFN 封装具有良好的热传导性能，有助于提高器件在高功率密度环境下的稳定性和可靠性。
NTTFS008N04CTAG 的最大工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适应各种工业环境下的稳定运行。此外，其栅极驱动电压范围较宽，支持 4.5V 至 10V 的栅极驱动电压，适用于多种控制电路设计，包括低电压驱动的逻辑控制器。
该 MOSFET 具有良好的抗雪崩能力和热稳定性，能够在高应力条件下保持稳定运行。其设计符合 AEC-Q101 汽车级标准，适合用于汽车电子系统中的功率管理应用。
NTTFS008N04CTAG 主要应用于需要高效功率开关和低导通损耗的场合。例如，在 DC-DC 转换器中，该器件可用于高侧或低侧开关，提高转换效率；在同步整流电路中，它能够有效降低导通损耗，提高电源转换效率；在负载开关和电机驱动电路中，其低 RDS(on) 和高电流能力可确保稳定运行。
该器件也适用于电池管理系统、电源管理模块、电源适配器、服务器电源和工业控制系统。由于其符合汽车级标准，NTTFS008N04CTAG 还可用于汽车电子系统，如电动助力转向（EPS）、车载充电器（OBC）、电池管理系统（BMS）等。
此外，该 MOSFET 可用于热插拔电路、负载开关和保护电路中，作为快速开关元件，确保系统在高负载条件下的稳定性和可靠性。
SiR142DP-T1-GE, Nexperia PSMN10R2-40YLC, Infineon BSC010N04LC
