晶体管类型：NPN 型 BJT
　　集电极-发射极电压（VCEO）：100V
　　集电极-基极电压（VCBO）：100V
　　发射极-基极电压（VEBO）：5V
　　最大集电极电流（IC）：3A
　　最大功耗（PD）：2W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 150°C
　　电流增益（hFE）：在 IC=2mA 时为 110（最小值）
　　过渡频率（fT）：100MHz

NTST20100CT-D 的核心特性之一是其高耐压能力，能够承受高达 100V 的集电极-发射极电压（VCEO），这使得它在高压应用中表现出色。此外，该晶体管的最大集电极电流为 3A，能够在较高负载条件下保持稳定工作。
　　另一个显著特性是其良好的电流增益（hFE），在典型工作条件下，hFE 可达到 110 以上，确保了优异的放大性能和低失真特性。这使得 NTST20100CT-D 非常适合用于需要高增益的模拟和数字电路。
　　该晶体管还具备较高的过渡频率（fT）达到 100MHz，表明其在高频应用中也能保持良好的响应性能。这一特性使其适用于高速开关电路和射频放大器等高频应用。
　　NTST20100CT-D 采用 TO-220 封装，具有良好的散热能力，能够在高功率条件下长时间运行而不出现过热问题。这种封装形式也便于安装在散热片上，进一步提升其热管理能力。
　　此外，该晶体管的可靠性较高，能够在 -55°C 至 150°C 的宽温度范围内正常工作，适用于恶劣环境下的工业和汽车电子应用。

NTST20100CT-D 主要应用于高电压和高电流的电子系统中。例如，在电源管理系统中，它可用于 DC-DC 转换器、负载开关和电源稳压电路等。由于其高耐压和高电流能力，该晶体管也非常适合用于电机驱动和继电器控制等工业自动化设备。
　　在音频放大器设计中，NTST20100CT-D 可作为输出级晶体管，提供高保真音频信号放大。其高电流增益和低失真特性有助于提升音频系统的整体性能。
　　此外，该晶体管还广泛用于各种开关电路中，例如 LED 驱动器、电源管理系统和电池充电器。由于其较高的频率响应能力，NTST20100CT-D 也可用于高频振荡器和射频放大器等通信设备中。
　　在汽车电子领域，该晶体管可以用于汽车点火系统、车载充电器和电动助力转向系统等关键部件。其宽温度范围和高可靠性使其能够在汽车复杂的电气环境中稳定运行。

TIP120, BD139, 2N2222, MJE340