IXTH42N20 时间：2025/8/5 22:16:40 阅读：38

IXTH42N20是一款由Littelfuse公司（原IXYS Corporation）生产的高功率N沟道增强型MOSFET。该器件主要用于需要高电流和高电压处理能力的电源转换和功率控制应用中。IXTH42N20采用了先进的MOSFET技术，具备低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适用于工业电源、DC-DC转换器、电机控制以及电池管理系统等场景。该MOSFET采用TO-247封装，便于安装和散热。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：42A
　　漏源电压（VDS）：200V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大65mΩ（典型值约50mΩ）
　　工作温度范围：-55°C至+175°C
　　封装形式：TO-247
　　功率耗散（PD）：300W

特性

IXTH42N20具有多项优异的电气和热性能特性，首先，其低导通电阻（RDS(on)）可以显著降低导通损耗，提高系统的整体效率。在高电流应用中，这一点尤为关键。其次，该MOSFET具备高耐压能力，漏源电压（VDS）可达200V，能够适用于多种中高压电源转换场景。
　　此外，IXTH42N20采用了先进的平面沟槽栅极技术，提高了开关速度，从而减少了开关损耗，使其适用于高频开关应用。该器件的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少驱动电路的功耗并提高响应速度。
　　该MOSFET还具备良好的热稳定性和高功率耗散能力（300W），在高负载条件下仍能保持稳定运行。TO-247封装设计有助于良好的散热性能，适用于需要长时间高负载工作的应用场景。
　　IXTH42N20的宽工作温度范围（-55°C至+175°C）使其能够在极端环境条件下稳定运行，适用于工业自动化、电力电子和新能源等领域。