NTSB40120CTT4G 是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)制造的双极型晶体管(BJT),属于NPN型晶体管,具有高电流、高电压特性和低饱和压降,适用于功率放大、开关和电源管理等多种应用。该器件采用TO-220-3封装,具备良好的散热性能和较高的可靠性。
类型:NPN双极型晶体管
最大集电极电流:40A
最大集电极-发射极电压:120V
最大集电极-基极电压:140V
最大功耗:150W
最小电流增益(hFE):20000(在Ic=2A,Vce=5V)
最大饱和压降:1.1V(在Ic=20A,Ib=200mA)
工作温度范围:-55°C至+150°C
NTSB40120CTT4G晶体管具有多项优异特性,使其适用于高功率和高性能电路设计。首先,该晶体管的最大集电极电流可达40A,能够支持大功率负载的驱动需求,如电机控制、电源转换和工业自动化系统。其次,其最大集电极-发射极电压为120V,允许在高压环境下稳定运行,适用于高电压开关电路和电源供应器设计。
该器件的最大功耗为150W,结合TO-220-3封装形式,具备良好的散热能力,确保在高负载条件下仍能维持稳定工作。此外,其低饱和压降(Vce_sat)典型值为1.1V,在高电流条件下能有效降低功耗,提高能效,减少热量生成。
NTSB40120CTT4G具有较高的电流增益(hFE),在Ic=2A、Vce=5V条件下,最小hFE为20000,这意味着它可以在较小的基极驱动电流下控制较大的集电极电流,适用于高增益放大电路和高效能开关电路。
该晶体管的工作温度范围为-55°C至+150°C,适应性广,适用于工业级和汽车电子应用,如车载充电系统、电机控制器和电源转换模块。
NTSB40120CTT4G晶体管广泛应用于需要高电流、高电压和低功耗的电子系统中。常见的应用包括工业自动化控制、直流电机驱动、电源管理模块、逆变器和UPS系统、LED照明驱动电路、高频开关电源以及汽车电子系统中的功率控制模块。此外,由于其高可靠性和良好的热性能,也适用于高可靠性要求的医疗设备和通信基础设施。
TIP142T, MJ15024, TIP36C, 2SD2368, TIP142