时间：2025/7/18 17:36:23
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WD100V 是一款由东芝（Toshiba）推出的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源转换应用，如DC-DC转换器、电源管理模块以及开关电源系统。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高电流容量和快速开关特性，适用于需要高效能和紧凑设计的电子设备。WD100V 采用TO-252（DPAK）封装，具备良好的热管理和电气性能。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：100V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：110A（@25℃）
导通电阻（Rds(on)）：最大5.5mΩ（@Vgs=10V）
功耗（Pd）：200W
工作温度范围：-55℃～150℃
封装形式：TO-252（DPAK）
WD100V MOSFET 的核心优势在于其极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于减少导通损耗并提高整体系统效率。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，提供了出色的开关性能和热稳定性。此外，WD100V 具有高雪崩能量耐受能力，能够在高应力条件下保持稳定运行，提高了系统的可靠性和耐用性。
其TO-252封装形式不仅便于安装和散热设计，也适用于表面贴装工艺，适合高密度PCB布局。该MOSFET还具备良好的抗短路能力，适用于负载突变或瞬态过载的应用场景，如电机驱动、电池管理系统和工业自动化设备。
在驱动特性方面，WD100V 的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗并提高响应速度，特别适用于高频开关应用。此外，其栅极驱动电压范围宽，支持与多种驱动电路兼容，增强了设计的灵活性。
WD100V 广泛应用于各类高功率、高效率的电源系统中，包括但不限于：同步整流器、DC-DC升压/降压转换器、服务器和通信设备电源模块、电池充电器和管理系统、电机控制电路以及工业自动化设备中的功率开关。由于其优异的导通和开关性能，它也常用于汽车电子系统中，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和48V轻混系统中的功率转换模块。
此外，WD100V 还适用于需要高可靠性和高耐压能力的工业和消费类电子产品，如UPS不间断电源、太阳能逆变器、LED照明驱动电源以及高功率音频放大器等。在这些应用中，WD100V 的低导通电阻和高电流容量能够显著提升系统效率并减少热量产生，有助于实现更紧凑和高效的电源设计。
SiR142DP-T1-GE3, FDP100N10, IRLB8721PBF, IRF1404, IPW90R120C3
