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NTS4409NT1G 发布时间 时间:2023/4/13 10:53:55 查看 阅读:350

类别:分离式半导体产品
家庭:MOSFET,GaNFET - 单

目录

概述

类别:分离式半导体产品

家庭:MOSFET,GaNFET - 单

FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 特点:逻辑电平门

开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:350 毫欧 @ 600mA, 4.5V

漏极至源极电压(Vdss):25V

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:700mA

Id 时的 Vgs(th)(最大):1.5V @ 250?A

闸电荷(Qg) @ Vgs:1.5nC @ 4.5V

在 Vds 时的输入电容(Ciss) :60pF @ 10V

功率 - 最大:280mW

安装类型:表面贴装

封装/外壳:SC-70-3, SOT-323-3

包装:带卷 (TR)

供应商设备封装:SC-70

其它名称:NTS4409NT1G-NDNTS4409NT1GOSTR

资料

厂商
ON Semiconductor

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NTS4409NT1G参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)25V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C700mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C350 毫欧 @ 600mA,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs1.5nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds60pF @ 10V
  • 功率 - 最大280mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-70,SOT-323
  • 供应商设备封装SC-70-3(SOT323)
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称NTS4409NT1G-NDNTS4409NT1GOSTR