SKD31/02 时间：2025/8/23 18:31:48 阅读：3

SKD31/02 是一种功率MOSFET晶体管，主要用于高电流、高电压的开关应用。该器件采用先进的硅技术制造，具有低导通电阻和高可靠性。适用于工业电机控制、电源管理、逆变器以及功率转换系统等场景。SKD31/02 的封装形式为TO-247，方便散热和安装，适用于高功率密度的设计需求。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：600V
　　最大漏极电流(Id)：31A
　　导通电阻(Rds(on))：0.22Ω
　　栅极电荷(Qg)：90nC
　　最大工作温度：150°C
　　封装类型：TO-247

特性

SKD31/02 MOSFET具有多个关键特性，使其在功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻确保在高电流下保持较低的功率损耗，从而提高系统的整体效率。其次，该器件具有较高的耐压能力，最大漏源电压可达600V，适用于高电压工作环境。此外，SKD31/02具备良好的热稳定性和高可靠性，在高温条件下仍能稳定运行，适合用于工业级设备。其高栅极电荷特性使得在高频开关应用中具有更长的开关时间，从而降低开关损耗，提高系统稳定性。TO-247封装设计提供了良好的散热性能，有助于降低结温，延长器件使用寿命。此外，SKD31/02还具有较强的抗干扰能力和较强的短路承受能力，使其在电机控制、变频器等高要求场合中表现优异。

应用

SKD31/02广泛应用于多种电力电子系统中。其主要用途包括工业电机驱动、逆变器、DC-DC转换器、不间断电源(UPS)、电焊设备、感应加热系统以及太阳能逆变器等。在这些应用中，SKD31/02用于控制大电流的通断，实现高效的能量转换和系统管理。此外，该MOSFET也适用于电动工具、电动车控制系统以及智能电网相关设备，提供稳定可靠的功率控制方案。