时间：2025/5/7 16:02:31
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NTS4173PT1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型小信号 MOSFET。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能等特性，广泛适用于各种消费类电子设备、通信系统及工业控制领域中的功率管理与开关应用。
NTS4173PT1G 的封装形式为 SOT-23，这种小型化封装非常适合对空间要求较高的电路设计，同时它也能够提供稳定的电气性能。
最大漏源电压（Vds）：30V
最大栅源电压（Vgs）：±8V
连续漏极电流（Id）：250mA
导通电阻（Rds(on)）：1.4Ω（在 Vgs=4.5V 时）
总功耗（Ptot）：360mW
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
1. 低导通电阻：NTS4173PT1G 提供了较低的 Rds(on)，从而减少了导通状态下的功耗，提高了整体效率。
2. 高开关速度：由于其较小的输入电容和输出电容，使得该 MOSFET 具备快速的开关能力，适合高频应用。
3. 小型封装：采用标准 SOT-23 封装，节省 PCB 空间，并且便于自动化生产装配。
4. 热稳定性强：能够在较宽温度范围内保持良好的电气性能。
5. 可靠性高：经过严格的质量检测，确保长时间运行下的稳定性和可靠性。
1. 开关电源（Switching Power Supplies）中的同步整流器。
2. 负载开关（Load Switches）用于便携式设备如智能手机和平板电脑。
3. DC/DC 转换器中的功率开关元件。
4. 电机驱动控制电路中的开关器件。
5. 各种保护电路如过流保护、短路保护等场景。
AO3400A, SI2302DS, FDN340P
