时间：2025/6/17 9:35:12
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NTD4815NT4G 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，采用 TO-263 封装形式。该器件适用于开关电源、电机驱动和负载开关等应用领域。由于其低导通电阻和快速开关特性，NTD4815NT4G 在效率和性能方面表现出色，广泛用于消费电子、工业控制以及汽车电子等领域。
NTD4815NT4G 的设计使其在高电流条件下仍能保持较低的功耗，并具备出色的热稳定性和可靠性。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：33A
导通电阻：3.5mΩ
栅极电荷：79nC
开关时间：ton=18ns, toff=13ns
NTD4815NT4G 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻 (3.5mΩ)，确保在高电流条件下产生较少的功率损耗。
2. 快速开关特性，有助于提高系统效率并减少电磁干扰 (EMI)。
3. 高电流承载能力 (33A)，使其能够胜任大功率应用需求。
4. 采用 TO-263 封装，便于安装与散热管理。
5. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
6. 热稳定性强，能够在较宽的工作温度范围内保持性能一致性 (-55°C 至 +150°C)。
7. 提供卓越的电气特性和可靠性，适合于严苛环境下的应用。
NTD4815NT4G 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 电机驱动电路，例如步进电机、无刷直流电机 (BLDC) 的控制。
3. 负载开关和保护电路，用以实现过流保护或短路保护功能。
4. 工业自动化设备中的功率转换和控制模块。
5. 汽车电子系统，包括电动助力转向 (EPS) 和制动系统等。
6. 消费电子产品，如笔记本电脑适配器、平板电脑充电器等功率管理单元。
NTD4815N, IRFZ44N, FDP55N06L
