类型：IGBT模块
　　拓扑结构：双管（Dual）
　　最大集电极-发射极电压（VCES）：1200V
　　额定集电极电流（IC）：350A
　　工作温度范围：-40°C至+150°C
　　封装类型：双列直插式封装（DIP）
　　短路耐受能力：具备短路保护功能
　　导通压降：典型值为2.1V（在IC=350A时）
　　热阻：结至外壳热阻（Rth(j-c)）约为0.25K/W
　　驱动电压范围：±15V至+20V
　　最大工作频率：典型值为30kHz

SEMIX352GAR128DS模块具有多个关键特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，该模块的高耐压能力（1200V）和大额定电流（350A）使其适用于高功率密度设计。其次，模块内部采用先进的IGBT芯片技术，具有低导通压降和开关损耗，提高了整体系统效率。
　　此外，该模块具备良好的热管理性能，其低热阻设计（Rth(j-c)约为0.25K/W）有助于快速散热，确保在高温环境下仍能稳定运行。模块还具有短路保护能力，能够在极端工况下防止器件损坏，提高系统可靠性。
　　SEMIX352GAR128DS采用紧凑的DIP封装形式，便于安装和维护，适用于多种功率变换拓扑结构，如逆变器、斩波器和PWM控制电路。同时，其驱动电压范围宽（±15V至+20V），兼容多种驱动电路设计，提高了设计灵活性。

SEMIX352GAR128DS模块广泛应用于多个高功率电子系统中。例如，在工业自动化领域，它可用于高性能变频器和伺服驱动器，实现电机的高效控制。在可再生能源系统中，该模块适用于太阳能逆变器和风力发电变流器，提升能源转换效率。
　　此外，该模块还可用于电动汽车充电设备和电能质量调节装置，如有源滤波器和UPS（不间断电源）系统。在轨道交通领域，SEMIX352GAR128DS可应用于电力机车和城市轨道交通车辆的牵引变流器系统，提供稳定可靠的功率转换解决方案。

SKM300GB128DEK