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NTS10120EMFST1G 发布时间 时间:2025/5/10 14:15:25 查看 阅读:6

NTS10120EMFST1G是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的肖特基二极管。它属于NTS系列,采用SOD-123FL封装形式。此器件主要特点包括低正向电压降、快速恢复时间以及高浪涌电流能力。这些特性使其非常适合用于高效能的电源管理电路中,例如便携式电子设备中的开关电源和续流二极管应用。

参数

类型:肖特基二极管
  最大正向电压:1.2V
  最大反向电压:40V
  最大正向电流:1A
  峰值反向恢复时间:小于50ns
  结电容:约3pF
  工作温度范围:-55℃至+175℃
  封装:SOD-123FL

特性

NTS10120EMFST1G具有低正向电压降,这有助于减少功率损耗并提高系统效率。
  其快速恢复特性能够有效降低开关噪声,适用于高频开关应用。
  该器件还具备良好的热稳定性,在较宽的工作温度范围内保持稳定的性能表现。
  此外,它的高浪涌电流能力和小尺寸封装使其成为空间受限设计的理想选择。

应用

该二极管广泛应用于各种消费类电子产品及工业设备中,典型应用场景包括:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的整流或续流功能。
  2. 便携式设备如智能手机和平板电脑内的电池充电保护电路。
  3. 数据通信接口中的ESD保护。
  4. 电机驱动电路中的自由轮保护。
  5. 光伏逆变器等可再生能源系统中的能量转换组件。

替代型号

NTSB40100CT1G
  NSR1040T1G
  MBR140LT1G

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NTS10120EMFST1G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态停产
  • 技术肖特基
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)120 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)10A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)820 mV @ 10 A
  • 速度快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr)-
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏30 μA @ 120 V
  • 不同?Vr、F 时电容-
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-PowerTDFN,5 引线
  • 供应商器件封装5-DFN(5x6)(8-SOFL)
  • 工作温度 - 结-55°C ~ 175°C