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NTR5105PT1G 发布时间 时间:2025/5/8 9:37:33 查看 阅读:24

NTR5105PT1G 是一款 N 沟道增强型小信号 MOSFET,采用 SOT-23 封装。该器件具有低导通电阻和快速开关特性,非常适合用于便携式设备、消费类电子产品以及电信设备中的负载开关、同步整流和保护电路应用。
  由于其小尺寸封装和优异的电气性能,NTR5105PT1G 成为需要高效能和节省空间设计的理想选择。

参数

最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  最大漏极电流(Id):5.6A
  导通电阻(Rds(on)):0.9Ω(在 Vgs=10V 时)
  总功耗(Ptot):410mW
  工作结温范围(Tj):-55℃ 至 +150℃

特性

NTR5105PT1G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少功率损耗并提高系统效率。
  2. 高速开关能力,适合高频操作环境。
  3. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。
  4. 小型化封装 (SOT-23),节省 PCB 空间。
  5. 提供高可靠性,适用于各种严苛的应用条件。
  6. 支持宽范围的工作温度,适应性强。

应用

这款 MOSFET 广泛应用于以下领域:
  1. 负载开关:手机、平板电脑等便携式电子设备。
  2. 同步整流:DC-DC 转换器。
  3. 电池保护:可充电电池管理系统。
  4. 开关电源:小型适配器和充电器。
  5. 过流/过压保护电路:家用电器及工业控制设备。
  6. 信号切换:音频和视频信号路由。

替代型号

NTR5106PT1G, BSS138, 2N7002

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NTR5105PT1G参数

  • 现有数量227,649现货
  • 价格1 : ¥2.94000剪切带(CT)3,000 : ¥0.54944卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)196mA(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)5 欧姆 @ 100mA,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)1 nC @ 5 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)30.3 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)347mW(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装SOT-23-3(TO-236)
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3