时间：2025/5/8 9:37:33
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NTR5105PT1G 是一款 N 沟道增强型小信号 MOSFET，采用 SOT-23 封装。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，非常适合用于便携式设备、消费类电子产品以及电信设备中的负载开关、同步整流和保护电路应用。
由于其小尺寸封装和优异的电气性能，NTR5105PT1G 成为需要高效能和节省空间设计的理想选择。
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大漏极电流(Id)：5.6A
导通电阻(Rds(on))：0.9Ω（在 Vgs=10V 时）
总功耗(Ptot)：410mW
工作结温范围(Tj)：-55℃ 至 +150℃
NTR5105PT1G 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高系统效率。
2. 高速开关能力，适合高频操作环境。
3. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
4. 小型化封装 (SOT-23)，节省 PCB 空间。
5. 提供高可靠性，适用于各种严苛的应用条件。
6. 支持宽范围的工作温度，适应性强。
这款 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 负载开关：手机、平板电脑等便携式电子设备。
2. 同步整流：DC-DC 转换器。
3. 电池保护：可充电电池管理系统。
4. 开关电源：小型适配器和充电器。
5. 过流/过压保护电路：家用电器及工业控制设备。
6. 信号切换：音频和视频信号路由。
NTR5106PT1G, BSS138, 2N7002
