3SK138IX-TL 时间：2025/9/7 17:50:30 阅读：29

3SK138IX-TL 是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高频和高速开关应用。该器件采用SOT-23封装，具有较小的封装尺寸，适合高密度电路设计。由于其优异的开关性能和可靠性，3SK138IX-TL 常用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及其他便携式电子设备中的功率管理电路。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：12V
　　最大栅源电压（Vgs）：±8V
　　最大连续漏极电流（Id）：0.1A（在25°C环境温度下）
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值为3.5Ω（在Vgs=4.5V时）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOT-23
　　功率耗散（Pd）：0.2W
　　栅极电荷（Qg）：约2.8nC
　　输入电容（Ciss）：约35pF

特性

3SK138IX-TL MOSFET具有多项优异特性，适合高频和低功耗应用。其低导通电阻（Rds(on)）确保在导通状态下具有较低的功率损耗，从而提高能效。此外，该器件的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，提高开关频率下的性能表现。
　　其SOT-23封装形式不仅体积小巧，便于在紧凑型电路中使用，还具有良好的热稳定性和机械强度，适合表面贴装工艺（SMT）。此外，该器件的工作温度范围宽，可在-55°C至+150°C之间稳定运行，适用于各种恶劣环境条件。
　　该MOSFET具备良好的抗静电能力（ESD保护），增强了在实际使用中的可靠性和稳定性。同时，其快速的开关响应时间使其非常适合用于数字控制电路和高速开关应用，如负载切换、信号路径控制以及电池供电设备中的电源管理模块。

应用

3SK138IX-TL 主要应用于需要低电压、低电流开关控制的场合。常见应用包括便携式电子产品中的电源管理、DC-DC转换器中的同步整流、LED驱动电路、逻辑电平转换、电池充电管理系统以及小型电机控制电路。
　　此外，该MOSFET也适用于通信设备中的信号切换和控制电路，如无线基站、路由器和交换机中的电源分配单元。由于其低功耗和高开关频率特性，该器件也广泛用于消费类电子产品，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，用于管理不同模块之间的电源切换和节能控制。
　　在工业自动化系统中，3SK138IX-TL 可用于PLC模块的输入/输出控制、传感器电源开关以及小型继电器替代方案，提供更高的可靠性和更长的使用寿命。