产品类型：多层陶瓷电容器（MLCC）
　　电容值：10 nF（10000 pF）
　　容差：±5%（J级）
　　额定电压：50 V DC
　　温度特性：X7R（-55°C 至 +125°C，ΔC/C ≤ ±15%）
　　封装尺寸：0402（1.0 mm × 0.5 mm）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　介质材料：钡钛酸盐基陶瓷
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　端接类型：镍阻挡层/锡镀层（Ni-Sn）
　　老化特性：电容值随时间缓慢下降，典型值每年≤2.5%
　　自谐振频率（SRF）：约30 MHz（取决于PCB布局）
　　等效串联电阻（ESR）：低，典型值在几十毫欧级别
　　等效串联电感（ESL）：极低，适合高频应用

TN11-3H103JT所采用的X7R类电介质材料赋予其优异的温度稳定性，能够在-55°C至+125°C的宽温度区间内维持电容值的变化不超过±15%，这使其非常适合工业控制、汽车电子以及户外通信设备等需要适应恶劣环境的应用场合。相较于Z5U或Y5V等高介电常数但温度稳定性较差的材料，X7R在保持较高体积效率的同时提供了更可靠的电气性能。
　　该电容器采用先进的叠层工艺制造，内部由数十甚至上百层陶瓷介质与内电极交替堆叠而成，显著提升了单位体积下的电容密度，并有效降低了等效串联电感（ESL），从而增强其在高频去耦应用中的表现。对于数字IC的电源引脚去耦，TN11-3H103JT能够快速响应瞬态电流变化，抑制电压波动，提升系统稳定性。
　　其0402小型化封装不仅节省PCB空间，还支持自动化高速贴片生产，符合现代电子产品微型化趋势。此外，器件经过严格的可靠性测试，包括高温高湿偏压（THB）、温度循环（TC）、可焊性检验等，确保长期使用过程中的耐久性和连接可靠性。
　　Ni-Sn端子结构提供了良好的抗迁移能力，防止银离子迁移导致短路风险，尤其适用于高湿度工作环境。同时，该结构兼容无铅回流焊工艺，满足RoHS环保指令要求，适用于绿色电子产品制造。整体而言，TN11-3H103JT是一款兼顾性能、尺寸与成本的通用型MLCC，广泛用于各类中高端电子系统中。

TN11-3H103JT广泛应用于多种电子电路系统中，主要功能包括电源去耦、噪声滤波、交流耦合、旁路和定时/补偿电路等。在数字集成电路（如MCU、FPGA、ASIC）的供电网络中，它常被布置于电源引脚附近，用以滤除高频噪声并提供局部储能，降低电源阻抗，提高系统抗干扰能力。
　　在DC-DC转换器和LDO稳压电路中，该电容可用于输入/输出滤波，平滑电压纹波，提升电源效率和输出稳定性。由于其具备较好的频率响应特性，也常用于模拟信号路径中的耦合与去耦，例如音频放大器、传感器接口电路等，有助于隔离直流分量并传递交流信号。
　　在射频（RF）模块和无线通信设备（如Wi-Fi、蓝牙模块）中，TN11-3H103JT可用于偏置电路的旁路电容或匹配网络中的组成元件，因其低ESL和稳定的阻抗特性而表现出良好高频性能。
　　此外，该器件还适用于工业控制板、汽车电子模块（如ECU、车载信息娱乐系统）、医疗仪器以及消费类电子产品（智能手机、平板电脑、智能穿戴设备）中的信号调理与电源管理单元。其小型化封装特别适合高密度布板需求，是现代电子设计中不可或缺的基础元件之一。

[
　　 "C0402X7R1H103K",
　　 "GRM155R71H103KA88D",
　　 "CL21A106KAQNNNE",
　　 "LC0402X7R1H103K"
　　]