时间：2025/8/1 18:14:31
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NTR0202PLT3 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的双N沟道功率MOSFET，常用于需要高效开关和低导通电阻的应用中。这款MOSFET采用了先进的沟槽技术，提供了优良的导通性能和热稳定性，适用于各种电子设备和电源管理应用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：20V
栅源电压(Vgs)：±12V
连续漏极电流(Id)：4.3A
导通电阻(Rds(on))：50mΩ（最大值）
功率耗散：1.5W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：SOT-563
NTR0202PLT3 MOSFET 采用先进的沟槽技术，提供极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于减少功率损耗并提高整体效率。其双N沟道结构设计使其能够承受较高的电流负载，适用于高频开关应用。
该器件的栅极设计使其在较低的栅极电压下也能实现良好的导通性能，适用于多种电源管理应用。此外，NTR0202PLT3 的 SOT-563 封装提供了良好的热管理和紧凑的布局，适合高密度电路设计。
这款MOSFET具有良好的热稳定性和可靠性，能够在广泛的温度范围内稳定工作。其低导通电阻和高效的开关特性使其成为电池供电设备、DC-DC转换器和负载开关等应用的理想选择。
NTR0202PLT3 广泛应用于便携式电子产品、电源管理系统、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等场景。其低导通电阻和高效能特性使其特别适合用于需要高效率和低功耗的设计中。
NTR0202P
