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GA1210H333JXXAT31G 发布时间 时间:2025/6/9 15:39:14 查看 阅读:22

GA1210H333JXXAT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于电源管理、电机驱动和工业控制领域。该器件采用先进的半导体制造工艺,具备低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著提升系统效率并降低功耗。
  其封装形式为 TO-263-3,具有良好的散热性能,适合于需要高电流处理能力的应用场景。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:45A
  导通电阻:2.5mΩ
  栅极电荷:75nC
  开关速度:10ns
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

GA1210H333JXXAT31G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够在高电流条件下提供更高的效率。
  2. 高速开关性能,减少开关损耗,适用于高频应用。
  3. 具备出色的热稳定性和可靠性,适应严苛的工作环境。
  4. 内置反向恢复二极管,有效防止反向电流冲击。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且安全。

应用

该芯片适用于多种应用场景,例如:
  1. 开关电源 (SMPS) 中的功率转换模块。
  2. 工业设备中的电机驱动电路。
  3. 电动汽车及混合动力汽车的电池管理系统。
  4. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的功率调节部分。
  5. 各类高效能 DC-DC 转换器设计。

替代型号

IRF3205
  FDP5580
  STP55NF06L

GA1210H333JXXAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.033 μF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定25V
  • 温度系数X8R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-