类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：400V
　　连续漏极电流（Id）：7A
　　导通电阻（Rds(on)）：1.2Ω（典型值）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V至4V
　　功耗（Pd）：40W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-220

NTP7N40具备一系列优良的电气和物理特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其最大漏源电压为400V，能够承受较高的电压应力，适用于高压电源系统。其次，连续漏极电流可达7A，具备良好的电流承载能力，适用于中高功率应用。该器件的导通电阻典型值为1.2Ω，较低的Rds(on)意味着在导通状态下功耗较低，有助于提高系统效率。
　　此外，NTP7N40的栅极阈值电压范围为2V至4V，适用于多种驱动电路，确保良好的开关性能。其最大功耗为40W，结合TO-220封装良好的散热性能，可确保在较高负载条件下的稳定运行。该器件还具有快速开关特性，适用于高频开关应用，有助于减小电源系统的体积和重量。
　　在可靠性方面，NTP7N40设计用于工业级温度范围，可在-55°C至150°C环境下稳定工作，适用于严苛的工业和车载环境。TO-220封装不仅提供良好的机械稳定性，也便于安装散热片，以提高热管理能力。该MOSFET还具备较高的抗静电能力和良好的短路耐受性，增强了器件的稳定性和使用寿命。

NTP7N40广泛应用于多种功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC适配器和负载开关控制等。由于其高耐压和较大电流承载能力，该器件特别适用于中功率电源转换系统，如工业电源、LED驱动器和电机控制电路。此外，NTP7N40也可用于电池管理系统、太阳能逆变器和不间断电源（UPS）等新能源相关应用。
　　在消费类电子产品中，NTP7N40可用于电源管理模块和充电器设计，提供高效的能量转换和稳定的性能。在工业自动化和控制系统中，该MOSFET可用于驱动继电器、电磁阀和执行机构，实现高可靠性的开关控制。由于其良好的热稳定性和抗干扰能力，NTP7N40也适用于车载电子系统，如车载充电器、DC-DC转换器和车载娱乐系统电源模块。

FQP7N40、IRF740、STP7NK40Z、2SK2225