时间：2025/6/27 0:54:53
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TD814SLT1-GB 是一种高性能的 N 没有道尔 (NPN) 型晶体管，适用于高频开关和放大应用。该器件采用 TO-252 封装形式，具有小尺寸、高散热性能的特点，广泛用于消费电子、通信设备及工业控制领域。
该晶体管的主要设计目的是满足高增益和快速开关的需求，其出色的频率响应使其成为射频 (RF) 应用的理想选择。
集电极-发射极电压：60V
集电极电流：1A
直流电流增益 (hFE)：100~300
最大功耗：625mW
过渡频率 (fT)：700MHz
封装类型：TO-252
工作温度范围：-55℃~150℃
TD814SLT1-GB 具有以下显著特性：
1. 高增益：直流电流增益 hFE 在 100 至 300 的范围内，适合要求高精度的放大电路。
2. 快速开关能力：过渡频率高达 700MHz，能够胜任高频场景下的信号处理任务。
3. 紧凑型封装：TO-252 封装不仅体积小巧，还提供了良好的热性能，便于安装在空间受限的环境中。
4. 宽温操作：可以在 -55℃ 到 150℃ 的温度范围内稳定运行，适应各种恶劣环境条件。
5. 可靠性高：经过严格的质量测试，确保长期使用中的稳定性。
TD814SLT1-GB 广泛应用于以下领域：
1. 高频开关电路：如无线通信设备中的功率放大器模块。
2. 射频 (RF) 放大器：由于其高频率响应，特别适合于射频信号放大的应用场景。
3. 工业控制：包括电机驱动、电源管理等需要高效能晶体管的应用。
4. 消费电子产品：如智能手机、平板电脑和其他便携式设备中的信号调节电路。
5. 传感器接口：在精密测量系统中，用于增强微弱信号的放大功能。
TD814SLT1G, KSP1134LT1G, MMBT3904LT1G
