时间：2025/5/20 15:42:44
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NTP5864NG是一款由Onsemi（安森美）生产的高性能、低导通电阻的P沟道功率MOSFET。该器件采用SO-8封装形式，广泛应用于各种需要高效开关和低功耗的电路中。其设计主要针对负载开关、DC-DC转换器、电源管理以及电池保护等应用场合。NTP5864NG具有优异的电气特性和热性能，能够满足多种工业和消费类电子设备的需求。
作为一款P沟道MOSFET，NTP5864NG在导通时提供从源极到漏极的低阻抗路径，从而减少功率损耗并提高系统效率。此外，它还具备快速开关能力和较高的电流承载能力，使其成为许多高要求应用的理想选择。
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±8V
连续漏极电流(Id)：12A
导通电阻(Rds(on))：15mΩ（典型值，在Vgs=-4.5V时）
栅极电荷(Qg)：9nC
总功耗(Ptot)：2.3W
工作温度范围(Ta)：-55℃至+150℃
1. 极低的导通电阻Rds(on)，可有效降低功率损耗。
2. 高电流处理能力，支持高达12A的连续漏极电流。
3. 快速开关速度，适合高频应用环境。
4. 小型SO-8封装，节省PCB空间。
5. 宽工作温度范围，适用于各种严苛的工作条件。
6. 符合RoHS标准，环保且可靠。
7. 内部结构优化以增强散热性能，确保长期稳定运行。
1. 负载开关和电源分配网络。
2. DC-DC转换器及电源管理模块。
3. 电池保护和充电管理电路。
4. 消费类电子产品中的电源开关。
5. 工业控制和电机驱动。
6. 各种便携式设备中的高效电源解决方案。
7. 照明系统中的调光和开关控制。
NTP5862N, NTP5863N, NTP5865N
