时间：2025/6/11 20:08:07
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NTP18N06L 是一款 N 沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），由 Nexperia（前身为 NXP 的标准产品业务部）生产。该器件采用先进的沟槽技术制造，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，广泛应用于消费电子、工业控制以及通信设备等领域。
其封装形式为 SOT23-3L，这种小型化封装使其非常适合对空间要求严格的电路设计。此外，NTP18N06L 具有较低的栅极电荷和输入电容，从而减少了开关损耗并提高了系统效率。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：1.49A
导通电阻：175mΩ
栅极电荷：4nC
总电容：350pF
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
NTP18N06L 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗，并提高整体效率。
2. 高开关速度，适合高频应用场合。
3. 小型 SOT23-3L 封装，节省 PCB 空间。
4. 较宽的工作温度范围，确保在恶劣环境下的可靠性。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
6. 内置 ESD 保护，提升抗静电能力。
NTP18N06L 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源中的同步整流器。
2. 直流-直流转换器中的开关元件。
3. 负载开关和电池保护电路。
4. 电机驱动和继电器控制。
5. 各类便携式电子设备中的功率管理模块。
6. 数据通信设备中的信号切换与处理。
NTD1840P, BSS138
