时间：2025/6/21 5:05:53
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NTNS3AS65PZT5G 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET，适用于高电压和高效率的应用场景。该器件采用先进的半导体工艺制造，具有低导通电阻、快速开关速度和出色的热性能等特性。其封装形式为 TO-247，适合在工业电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等领域使用。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：18A
导通电阻（典型值）：120mΩ
栅极电荷：29nC
输入电容：1650pF
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：TO-247
NTNS3AS65PZT5G 具有以下显著特点：
1. 高耐压能力：支持高达 650V 的漏源电压，非常适合高压应用。
2. 低导通电阻：典型的导通电阻仅为 120mΩ，能够有效降低功耗并提高效率。
3. 快速开关性能：低栅极电荷和优化的内部结构使其具备快速的开关速度，减少开关损耗。
4. 热稳定性强：采用 TO-247 封装，散热性能优越，能够适应高温环境。
5. 安全工作区域宽广：确保在各种负载条件下稳定运行。
NTNS3AS65PZT5G 广泛应用于以下领域：
1. 工业电源系统：包括开关电源适配器、不间断电源（UPS）等。
2. 电机驱动：用于高效电机控制和驱动电路。
3. DC-DC 转换器：实现高效的直流电压转换。
4. 太阳能逆变器：在可再生能源领域中用作关键功率开关组件。
5. 电动车和混合动力汽车：作为电池管理系统中的核心元件之一。
IRFP460N
FDP5500
STP18NF55
