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NTNS3A67PZT5G 发布时间 时间:2025/5/12 12:37:53 查看 阅读:9

NTNS3A67PZT5G是一款高性能的肖特基二极管,采用SMA封装形式。该二极管主要用于高频、低功耗的应用场景,其特点在于较低的正向电压降和快速的开关速度。它适用于电源整流、逆变器、开关电源及保护电路等场合。

参数

最大正向电流:3A
  峰值反向电压:60V
  正向电压(典型值):0.48V
  反向恢复时间:5ns
  工作温度范围:-55℃至175℃
  热阻:25℃时约60°C/W

特性

NTNS3A67PZT5G具有低正向电压降,这有助于减少功率损耗并提高效率。同时,其快速的反向恢复时间使其非常适合高频应用。此外,该器件具备较高的工作温度范围,能够在恶劣环境下稳定运行。
  该肖特基二极管还具有良好的浪涌电流能力,能够承受瞬间的大电流冲击。它的SMA封装形式也便于安装与散热管理,适合在紧凑型设计中使用。

应用

该芯片广泛应用于开关电源中的整流部分,太阳能逆变器的保护电路,以及各种便携式电子设备的电源模块。由于其高频性能优越,也常用于通信设备中的信号整流和保护功能。此外,在汽车电子领域,该二极管可作为电池充电保护或电机驱动电路中的关键元器件。

替代型号

MBR360CT5G, 1N5822, SS36, STPS3H100CT

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NTNS3A67PZT5G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格1 : ¥3.42000剪切带(CT)8,000 : ¥0.71629卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型-
  • 技术-
  • 漏源电压(Vdss)-
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)-
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)-
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)-
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)-
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)-
  • Vgs(最大值)-
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)-
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)-
  • 工作温度-
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装SOT-883(XDFN3)(1x0.6)
  • 封装/外壳3-XFDFN