时间：2025/7/29 18:24:15
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NTMTSC1D6N10MCTXG是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）制造的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，专为高性能功率管理应用设计。该器件采用先进的Trench沟槽技术，具备较低的导通电阻（Rds(on)）和高可靠性。它是一款N沟道MOSFET，适用于各种高效率开关电源、DC-DC转换器、负载开关和电机控制应用。NTMTSC1D6N10MCTXG采用紧凑的PowerPAK? 5x6封装形式，具有良好的热性能和空间节省优势，适合在高密度PCB布局中使用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：100V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：60A（在Tc=25°C）
导通电阻（Rds(on)）：最大值6.5mΩ（在Vgs=10V）
功率耗散（Pd）：135W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：PowerPAK 5x6
安装类型：表面贴装（SMD）
技术：Trench沟槽技术
引脚数：8
阈值电压（Vth）：约2.4V（典型值）
NTMTSC1D6N10MCTXG具有多项优异特性，使其适用于高功率密度和高效率的应用场景。首先，其低导通电阻（Rds(on)）有助于减少导通损耗，提高系统效率。其次，该器件采用了先进的Trench沟槽技术，提供了优异的热稳定性和更高的电流处理能力。此外，其宽泛的工作温度范围（-55°C至175°C）使其能够在极端环境下稳定运行，增强了系统的可靠性。
NTMTSC1D6N10MCTXG还具有良好的抗雪崩能力，能够在高能量瞬态条件下保持稳定工作。其栅极结构设计优化了开关性能，降低了开关损耗，从而提升了整体能效。同时，该器件具有良好的短路耐受能力，能够在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏。
采用PowerPAK 5x6封装形式，使得NTMTSC1D6N10MCTXG在PCB布局中占用更小的空间，同时具备良好的散热性能。该封装形式也支持高电流密度的设计需求，适用于多层PCB和高功率密度的电源系统。
NTMTSC1D6N10MCTXG广泛应用于多种功率电子系统中，包括DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、负载开关、电池管理系统和功率因数校正（PFC）电路。其高电流能力和低导通电阻使其成为高性能电源管理模块的理想选择。
在服务器电源、电信设备电源、工业自动化系统以及电动汽车（EV）充电模块中，NTMTSC1D6N10MCTXG可以作为主开关器件或同步整流器件，提供高效、可靠的功率转换。此外，该MOSFET也适用于高频开关电源应用，因其优异的开关性能和低损耗特性，有助于实现更高的工作频率和更小的外围元件尺寸。
NTMFD6D6N10MT4G
NTMTSC1D6N10MCT1G
