时间：2025/4/28 9:29:00
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NTMS4939NR2G 是一款来自 ON Semiconductor 的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用了先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻和快速开关性能，适用于各种高效能功率转换和负载切换应用。其小型化的封装设计使其非常适合空间受限的设计场景。
型号：NTMS4939NR2G
品牌：ON Semiconductor
VDS（漏源极电压）：30V
RDS(on)（导通电阻，典型值）：1.6mΩ
ID（连续漏极电流）：75A
Qg（栅极电荷）：9nC
VGS(th)（栅极阈值电压）：1.5V to 3.0V
封装类型：TO-263-3
工作温度范围：-55°C 至 175°C
NTMS4939NR2G 具有非常低的导通电阻 RDS(on)，从而显著降低了导通损耗，提高了系统效率。
其高电流处理能力 ID 达到 75A，适合需要大电流驱动的应用场景。
该器件的快速开关特性由低栅极电荷 Qg 支持，减少了开关损耗，特别适合高频开关电源、DC-DC 转换器等应用。
采用 TO-263-3 封装，提供良好的散热性能同时节省 PCB 空间。
由于支持较宽的工作温度范围（-55°C 至 175°C），能够在极端环境下可靠运行。
NTMS4939NR2G 广泛应用于多种功率电子领域，包括但不限于：
服务器及通信设备中的 DC-DC 转换器。
笔记本电脑适配器和其他便携式设备充电解决方案。
电机驱动控制电路，例如无刷直流电机 (BLDC) 驱动。
开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流功能。
负载切换和保护电路，用于工业自动化或消费类电子产品。
NTMS4938NR2G, NTMS4937NR2G
