时间：2025/8/5 16:37:56
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IXZH10N50L2B是一款由IXYS公司制造的高电压、高电流双MOSFET功率晶体管模块。该器件设计用于高性能功率电子应用，例如电机控制、电源转换和工业自动化。其主要特点是采用了先进的沟槽栅极技术，提供较低的导通电阻和优异的开关性能，同时具备高耐压能力。
类型：功率MOSFET模块
通道数：2（双通道）
最大漏源电压(VDS)：500V
最大漏极电流(ID)：10A
导通电阻(RDS(on))：典型值为0.85Ω
栅极电荷(Qg)：120nC
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：TO-247AC
技术：沟槽栅极MOSFET技术
IXZH10N50L2B具有多项显著特性，包括高耐压和高电流能力，使其适用于严苛的工业和功率电子环境。其沟槽栅极技术优化了导通电阻，从而降低了功率损耗并提高了能效。此外，该模块具有快速开关特性，减少开关损耗，适用于高频操作。器件的双MOSFET结构支持对称的电流分配，有助于简化电路设计并提高系统的可靠性。另外，其高热稳定性与坚固的封装相结合，确保在高负载条件下长时间稳定运行。
该器件还具备较低的热阻，提高了热管理效率，同时支持过热保护设计。由于其优异的电气和热性能，IXZH10N50L2B能够满足高要求的工业和电力电子应用需求。
IXZH10N50L2B广泛应用于各种功率电子设备中，包括交流电机驱动器、直流-直流转换器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、工业自动化系统以及高频开关电源。此外，该器件还可用于电动汽车充电设备和高功率LED驱动电路，满足对高效能和高可靠性的需求。
IXFH10N50P, IXFP10N50P, IRFP460LC
