时间：2025/6/17 0:08:45
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NTMS4920NR2G 是一款 N 沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），由 ON Semiconductor 公司生产。该器件采用小尺寸封装，适用于需要高效功率切换和低导通电阻的应用场景。其出色的性能使得 NTMS4920NR2G 成为许多电源管理设计的理想选择。
型号：NTMS4920NR2G
类型：N 沟道 MOSFET
封装：SOT-23
Vds（漏源极电压）：30V
Rds(on)（导通电阻）：65mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
Id（连续漏极电流）：2.1A
Vgs（栅源电压）：±20V
总功耗：400mW
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
NTMS4920NR2G 提供了低导通电阻和高效率的开关特性，使其非常适合用于便携式设备和其他对功率效率要求较高的应用中。
其小型 SOT-23 封装节省了电路板空间，并且能够提供良好的热性能。
此外，它具有快速开关速度和低电容特性，从而降低了开关损耗。
NTMS4920NR2G 的栅极驱动要求较低，便于与微控制器或逻辑电路接口，简化了系统设计。
由于采用了先进的制造工艺，该器件在高频率和高电流条件下仍然保持稳定的工作状态。
NTMS4920NR2G 广泛应用于多种领域，包括但不限于：
1. 开关电源中的同步整流器
2. DC/DC 转换器
3. 电池管理电路
4. 电机控制
5. 信号开关
6. 负载开关
7. 过流保护电路
8. 消费类电子产品中的电源管理模块
该器件特别适合那些需要紧凑型解决方案并且关注能效的应用场景。
NTMS4930NR2G, BSS138, 2N7002
