时间：2025/4/28 11:29:48
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NTMS4916NR2G 是一款来自 ON Semiconductor 的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用 SuperFET II 技术，具有低导通电阻 (Rds(on)) 和高效率特性，适合用于各种开关应用和功率转换电路中。其封装形式为 TO-263-3（DPAK），具备出色的热性能和电气性能。
最大漏源电压：55V
连续漏极电流：17A
导通电阻（典型值）：1.6mΩ
栅极电荷（典型值）：80nC
总电容（输入电容）：530pF
功耗：145W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
NTMS4916NR2G 具有非常低的导通电阻 (Rds(on))，这使得它在高电流应用中能够显著降低传导损耗。
其栅极电荷较低，有助于实现快速开关操作并减少开关损耗。
由于采用了先进的工艺技术，这款 MOSFET 能够在高温环境下可靠运行，工作结温高达 175°C。
此外，该器件还支持多种保护功能的设计，例如过流保护和短路保护。
其 DPAK 封装形式便于安装，并提供良好的散热性能。
NTMS4916NR2G 广泛应用于 DC-DC 转换器、同步整流电路、负载切换、电机控制以及电池管理系统等场景。
在消费电子领域，它可用于笔记本电脑适配器、智能手机充电器和 LED 驱动电源。
工业领域中，该器件适用于太阳能逆变器、不间断电源 (UPS) 和其他高效率功率转换设备。
汽车电子方面，它也能够胜任车载充电器、引擎控制单元 (ECU) 和车身控制模块 (BCM) 等应用。
NTMFS4916N, FDP5510, IRF7739TRPBF
