NTMS4801NR2G 时间：2025/7/10 6:37:50 阅读：29

NTMS4801NR2G 是一款来自 ON Semiconductor（安森美）的高可靠性双路 N 沃特功率 MOSFET。该器件采用 SOIC-8 封装，适用于需要高效能和低功耗的应用场景。这款 MOSFET 具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力，广泛应用于电源管理、电机驱动、负载开关等领域。
　　NTMS4801NR2G 的设计旨在优化性能和效率，其内置两个独立的 N 沃特 MOSFET 结构，可以分别控制不同的电路部分，从而提升系统设计的灵活性。

参数

类型：双路 N 沃特 MOSFET
　　封装：SOIC-8
　　最大漏源电压 Vds：30V
　　最大栅源电压 Vgs：±20V
　　连续漏极电流 Id：6.9A（单通道），3.5A（双通道）
　　导通电阻 Rds(on)：70mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　总功耗：1.1W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　反向恢复电荷 Qrr：11nC

特性

NTMS4801NR2G 提供了多种优势，使其成为许多电子应用的理想选择：
　　1. 低导通电阻：Rds(on) 的典型值为 70mΩ，能够有效减少传导损耗并提高系统效率。
　　2. 高电流能力：支持高达 6.9A 的连续漏极电流，适用于大功率应用场景。
　　3. 小型化封装：SOIC-8 封装节省了 PCB 空间，同时提供了良好的散热性能。
　　4. 宽工作温度范围：能够在 -55°C 至 +150°C 的极端环境下稳定运行，适合工业和汽车环境。
　　5. 双通道设计：内部集成了两个独立的 N 沃特 MOSFET，可灵活用于各种电路拓扑结构。
　　6. 高可靠性和耐用性：经过严格的测试流程，确保在恶劣条件下的长期稳定性。

应用

NTMS4801NR2G 的典型应用包括但不限于以下领域：
　　1. 电源管理：如 DC-DC 转换器、线性稳压器等。
　　2. 电机驱动：可用于小型直流电机或步进电机的控制。
　　3. 负载开关：实现对不同负载的精确控制。
　　4. 电池保护电路：防止过充、过放或短路等问题。
　　5. 工业自动化设备：如传感器接口、继电器替代方案等。
　　6. 汽车电子：适用于车身控制模块、LED 照明驱动等场景。